科益虹源(中国需要几年能研制出媲美荷兰阿斯麦的EUV极紫外光刻机)
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2024-03-12
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1. 科益虹源,中国需要几年能研制出媲美荷兰阿斯麦的EUV极紫外光刻机?
难说啊!
要知道ASML公司,在1991年就研制出了制程工艺包含90纳米的,步进投影式DUV光刻机。而在2017年研制出了,制程工艺在7纳米的,第三代极紫外EUV光刻机。
也就是说,ASML公司用了26年,才从步进投影式DUV光刻机,突破到极紫外EUV光刻机。
而我国在2007年就研制出了制程工艺可达90纳米的步进投影式DUV光刻机,截止到目前为止,还没有见到国产浸没式DUV光刻机出现,那就更不要说,研发出极紫外EUV光刻机了。
即便按照ASML公司的发展历程,从理论上来看,那也需要到2033年才可以研制出极紫外EUV光刻机。
当然了,以上只是按照ASML公司的发展历程简单的推算,真实情况是肯定有差别的。
至于究竟到哪年,才可以研制出自己的极紫外EUV光刻机,现在还很难说啊!
只不过可以肯定的是,研制出极紫外EUV光刻机的时间要么早于2033年,要么晚于2033年。究竟到哪年,还是让我们拭目以待吧!
或许随着量子芯片,碳基芯片,光子芯片的发展,我国可以弯道超车,避开传统光刻机的发展模式,直接走到新兴芯片的生产制造上。
言归正传,在光刻机制造上,我国面临的问题与ASML是截然相反的。
要知道ASML是集合了美国,德国,日本,英国,欧洲等各发达国家的顶尖科技,才制造出的光刻机。
而我国只有靠自己,光刻机的任何一个部件,都要立足于国内来完成研发。而且,国外还对我国进行严密的封锁,也签署了专门禁止对我国出口高科技技术的《瓦森纳协定》。
如此一来,最直接的结果就是:我国的高科技VS全球的高科技。况且,这还是在我国与光刻机有关的高科技,不如国外发达国家的前提下进行的。由此可见,极紫外EUV光刻机的研发,难度是地狱级别的。
可想而知,我国独立研制出极紫外EUV光刻机的难度系数有多高。
难度系数高归高,与做不做的到是两回事。俗话说,世上无难事,只怕有心人。我国向来拥有迎难而上的决心和毅力,相信研制出极紫外EUV光刻机只是时间问题而已。
毕竟在20年前,谁曾想到20年后的今天,我国的科技会发达到这个程度。先后出现了:蛟龙号深潜器,奋斗者号载人深潜器,复兴号高速列车,天宫空间站,北斗导航系统,量子通讯卫星,量子芯片,特高压输电,歼20隐身战斗机,运20大型运输机,直20直升机,055型万吨驱逐舰,山东号航空母舰。
这一切,在20年前是根本就不敢想的,甚至在10多年前也是不敢想的。但是,这一切,就真真切切的成为了现实。所以说,没有可以难倒我国的技术,因为我国有着迎难而上的传统和决心。相信,在极紫外EUV光刻机上,也会尽快研制出来的。
那么,我国现有的技术,与国际上的差距有多大呢。
ASML极紫外EUV光刻机使用的先进部件采用了波长为13.5纳米,功率为250W的激光等离子体光源。
有关于极紫外光源,一共发展了三代。第一代:放电等离子体(DPP);第二代:激光辅助放电等离子体(LDP);第三代:激光等离子体(LPP)。
可见ASML的极紫外EUV光刻机使用的就是由Cymer公司研发的第三代光源,该光源有两大特点:
第一,功率高,250W。只有光源的功率足够高,在被十多个反射镜反射吸收之后,剩下的功率足够高才能够进行光刻。另外光刻机光源的功率越高,芯片刻录速度也就越快。
第二,波长短,13.5纳米。众所周知,光刻机的光源波长与最小制程工艺息息相关。由于芯片的制程工艺和光刻机的曝光分辨率有着密切的关系,曝光分辨率越高,制程工艺也就越小,反之月越大。而光刻机的曝光分辨率又和光源的波长息息相关,当然光源的波长越短,曝光分辨率也就越高。光源波长越短,芯片制程工艺的纳米数就可以做到越小。
总而言之,极紫外EUV光刻机需要的光源,是波长短,功率大。
多片极其光滑的反射镜EUV光刻机与DUV光刻机的镜头组是不同的。DUV光刻机用的是透镜组,而EUV光刻机用的是反射镜。
为了使光源被反射后,还具备较高的聚合性和较大的功率,对反射镜的粗糙度有较高的要求。ASML的极紫外EUV光刻机,使用的是德国蔡司公司研制的反射镜。这些反射镜的表面镀了近百层由钼和硅制成薄膜,而薄膜的粗糙度控制在0.05纳米,难度还是相当大的。
超高精度的双工件台过去的光刻机使用的是单工件台,一个工件台完成测量,刻录等所有工作。那么,效率自然就很慢。使用单工件台的光刻机,一个小时可以处理80片晶圆。
而双工件台,是将光刻前得准备工作,和光刻分隔开来。即,一个工件台上的晶圆在做曝光时,另一个工件台对晶圆做测量等曝光前的准备工作。当第一个工件台的曝光工作完成之后,两个工件台交换位置和职能 这样一来,就可以提高光刻机的生产速度,使用双工件台的光刻机,每小时可以处理200片晶圆。相单工件台而言,那生产效率提高了3倍。
ASML的极紫外EUV光刻机所用的Twinscan双工件台,的运动精度误差控制在1.8纳米。
综合来看,光源,双工件台,反射镜是光刻机的三大部件,只要解决了这三大部件,剩下的控制台,掩膜台相对来说就比较容易了。
我国光刻机部件的进度我国目前最先进的光刻机,就是最小制程工艺为90纳米的步进投影式DUV光刻机。距离ASML的极紫外EUV光刻机还有很远的距离。
光源国内研发光源的主要有科益虹源,哈工大,华中科技,上海光机所等。
目前来看,我国已经制造出来第三代光源→波长为248纳米,重复频率为4000hz,功率为40W的氟化氪(KrF)激光器。当然了,这是在2020年完成的,至于今天达到了那个程度,还难以确定。
不过,国外类似的光源是在上世纪80年代研发出来,可想而知,这之间的差距有多大。不过Krf光源只适合制程工艺在100纳米以上的光刻机使用,而我国的光刻机最小的制程工艺为90纳米。想必还是研制出了波长为193纳米的第四代Arf光源。
当然了,国内有研发DUV光刻机的光源公司,也有研发EUV光刻机光源的企业。像哈工大研发的第一代放电等离子光源。
综合来看,在光源上与国际领先水平仍然有较大得差距。
反射镜我国研究光刻机镜头的有国望光学,长春光机所。国望光学已经研制出了,适合步进投影式DUV光刻机使用的透镜,否则国内90纳米制程工艺的光刻机的物镜系统从哪里来的呢。
只不过,在极紫外EUV光刻机使用的反射镜上,国内并没有研制出实物,也没有相关的报道出现。只不过,据最新的资料显示,光点技术研究所,与中国科学院高能物理研究所合作,研发的200 毫米口径内平面镜的,加工粗糙度优于 0.3 纳米。
而在2021年,中科科仪所研发出了真空镀膜设备,该设备可以将膜厚的精度控制在0.1纳米以内,应该可以用于反射镜的镀膜。
综合来看,国内反射镜技术,与德国的蔡司公司,日本的JECT公司的反射镜差距依然挺大的。
双工件台我国研发双工件台的主要就是华卓精科,其已经交付客户的DWS系列双工件台,可以被用于Arf干式光刻机。该双工件台采用了磁悬浮平面电机驱动,多轴激光干涉位移测量技术。使得运动平均偏差为4.5纳米,运动标准偏差为7纳米,最大速度为1.1米/秒,最大加速速度为2.4g。
正在研发DWSI系列,同样采用了磁悬浮平面电机驱动,不过换成了平面光栅干涉位移测量技术。使得运动平均偏差为2.5纳米,运动标准偏差为5纳米,最大速度为1.5米/秒,最大加速速度为3.2g。
即便是在研发中的双工件台,距离ASML极紫外EUV光刻机使用的双工件台也有差距。
目前来看,我国EUV光刻机的所需要的部件,都尚未达到满足使用的程度。所以说,国产极紫外EUV光刻机还是需要时间来等待的。就是等待各种部件达到商业化的程度,也只有各种部件都齐全了,国产极紫外EUV光刻机才可以顺利的下线 。
上文也说了,至于何时才能看到国产极紫外EUV光刻机,还很难说啊!
2. 华为手机销量跌入other华为出卖手机业务的可能性有多少?
2021年一季度手机的全球出货量出来后,很多关心华为的朋友发现,华为手机销量跌入“Others”了,与之前的前三名回首告别了。
而小米则成为第三,也是小米第一次取得这么好的成绩,随后跟进的是OPPO、vivo等国内品牌。
去年,华为已将荣耀手机业务全部出售,不在持有荣耀的任何股份。而将华为手机业务保留下来,这是一个很理智、绝妙的做法,至少从目前看来就是这样的。
2021年6月2日,华为正式发布HarmonyOS 2 操作系统,并发布了搭载HarmonyOS 2 操作系统的华为Mate 40 Pro 4G版、华为Mate 40E、华为nova8 Pro 4G版等4G手机。
而鸿蒙系统的目标是2亿台的华为设备搭载,到明年的一季度完成“百”机焕新计划,将近百款华为、荣耀手机升级到HarmonyOS 2。
可以说,为了鸿蒙系统的未来,华为是不会放弃手机业务的,而且华为手机也只有在华为公司才能展现出华为手机的魅力所在。
因此,华为是绝不会将手机的业务出售,这也是很多的业内人士分析认为的。
华为手机如今的困境是高端芯片的制造以及相关产品的授权。但是华为一直在解决,并做出了很大的成绩。这次的鸿蒙系统发布就是应对安卓的。但又在安卓的平台上更进一步,以“万物互联”为发展方向。
有消息说,华为的旗下的哈勃投资公司开始投资光刻机领域,是入股了由中科院微电子所控股的科益虹源公司。
看来,这是华为自己要解决芯片制造的难题,而其投资的科益虹源核心业务就是光刻机的光源系统。
虽然华为不会将手机业务出售,但是新机的发布节奏和款式会有所减慢、变少,这是没办法的事情,只能接受了。
小结:
1、华为是不会出卖手机业务的,并将继续推出新机,华为P50在6月2日的发布上也亮相,相信不久后将发布。
2、华为手机在华为的手中才能发挥出应有的魅力,也是联系大众用户的桥梁之一。
3. 我国能生产光刻机吗?
有人说研发光刻机比研发导弹和原子弹还难,但我要说,只要是外国人研发出来的东西,就没有中国人研发不出来的。中国人韧性非常强,别人越打压,我们就变的越强大。当年,我国要建高铁,想从日本和欧洲进口高铁技术,可人家不卖,还嘲笑我们几十年内建不了高铁。这激起了中国科研人员的努力,在短短几年之后,中国高铁就在祖国大地上运行,且技术还远超日本和欧洲,令他们大跌眼镜。所以我相信,以中国人的高超智慧,用不了多久,中国自主研发的高尖端光刻机就会与世人见面。到那时,中国不但能制造高端光刻机,还能制造比光刻机更先进的高科技设备。
目前,光刻机都被国外垄断,震惊世界的华为之战就是光刻机之战。华为芯片大部分从国外进口,美国为了打压华为,利用国家力量要求美国企业断供华为芯片。华为芯片又是高科技产品,很多都是用光刻机制造出来的。美国人认为,光刻机是华为短板,还在研发之中,他们垄断了光刻机市场,也就掐断了华为的脖子。幸好华为早就有准备,华为旗下海思公司生产的麒麟系列芯片,足以和高通骁龙芯片媲美,满足了华为后续产品的需求。华为公司依旧在研发更高端的芯片,相信他们能克服种种困难,让华为高科技走向世界。
当然,光刻机也不是美国一家独大,荷兰ASML公司生产的光刻机排世界前列,他们生产的7nm光刻机一台售价1亿欧元,约合人民币8亿,而且有钱还要提前数年预约。这还不算最好的,如果是5nm光刻机价格就更高了。由于荷兰光刻机技术来源美国,因此他们也不敢转让核心技术给我国。正因为这样,光刻机成了一些国家发财专利。
如今,我国高科技遭到打压,这更激起了我国科研人员奋发图强。我国是发展中国家,对很多高科技产品还在摸索研发之中。特别是对这种高端科技光刻机的研发,我国以在计划之中。我国高科技企业特别多,只要大家群策群力,用不了多少年,我国就能拥有属于自己的高端光刻机。
所以说,中国可以自己制造出光刻机,它对中国人来说,挑战不会很大,属于正常的高科技研发,而且我们的技术一定会超越西方,这也是中国人的实力。等到那时,中国制造的高端光刻机就可以销售世界,给很多发展中国家带来福音。以上只是一家之言,欢迎留言,谢谢。
4. 我国在光刻机研制方面是否有专业的研发机构或团队?
当然有,2000年左右,国家就认识到自主掌握光刻机核心技术的重要性,其中“02专项计划”是由多个部门负责不同的子项,并在通过与企业合作实现技术转化,其中光刻系统如下图所示。
其中,负责整机制造的是有中电科45所光刻机团队加盟成立的上海微电子,核心零部件研发则包括中科院微电子所与科益虹源的光源系统、清华大学与华卓精科的双工作台系统、中科院长春光机所与国科精密的曝光系统以及与国望光学的物镜系统、浙江大学与启尔机电的浸没系统等。
自从台积电被禁止为华为提供芯片后,华为7nm、5nm工艺的高端芯片无法生产。而在国内,同为晶圆制造企业的中芯国际目前的量产工艺为14nm。其实2018年,中芯国际曾给阿斯麦发出EUV光刻机订单,但由于美国的阻拦,这台光刻机没有交付到中芯国际,而这是实现7nm工艺的关键设备。
事实上我国光刻机产业起步并不晚,在全球光刻机产业开始发展的60年代初期,我国就已开始进行相关技术的研发。但从80年代开始,随着改革开放的大门打开,我国开始引进国外的半导体生产产线。国外先进技术的引进当然能够带动国内产业的发展,但这也使得“造不如买”成为产业发展的主流模式。
我国经过几年的攻关,不少子项目已经取得较大进展,清华大学团队和华卓精科成功研发出光刻机双工作台系统样机,成为继ASML之后第二个掌握光刻机双工作台系统的企业。长春光机所联合国望光学和国科精密分别在2016和2017年完成物镜系统和曝光系统的验收。2017年,中科院微电子所与科益虹源研发的40瓦ArF光源技术通过验收;2018年科益虹源自主设计开发的国内首台高能准分子激光器出货,打破了国外厂商的长期垄断。2019年,启尔电机的浸没系统也通过02专项工程指挥部CDR评审。
上海微电子表示,其28nm制程的浸没式光刻机将在近年交付。28nm是尤为重要的工艺节点,尽管与7nm的EUV光刻机还有些差距,但其同样能够通过多次曝光制造7nm制程的芯片。
同时,相比于高端智能手机所追求的7nm、5nm芯片工艺,28nm工艺在微控制器、射频芯片、图像传感器领域是更主流的工艺,也是目前单位晶体管成本最低的工艺节点。
所以从相当程度上看,实现28nm的量产要比过分依赖国外技术的14nm、7nm更有意义。
综合来看,我国在光刻机核心部件领域已经实现了明显的进步,多项技术都接近了国外水平。但光刻机仍然是个复杂的集成产业,需要每一个零件和材料完美组合才能打造出来,我们仍然需要强化产业链的合作,让更多企业加入进来。
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1. 科益虹源,中国需要几年能研制出媲美荷兰阿斯麦的EUV极紫外光刻机?
难说啊!
要知道ASML公司,在1991年就研制出了制程工艺包含90纳米的,步进投影式DUV光刻机。而在2017年研制出了,制程工艺在7纳米的,第三代极紫外EUV光刻机。
也就是说,ASML公司用了26年,才从步进投影式DUV光刻机,突破到极紫外EUV光刻机。
而我国在2007年就研制出了制程工艺可达90纳米的步进投影式DUV光刻机,截止到目前为止,还没有见到国产浸没式DUV光刻机出现,那就更不要说,研发出极紫外EUV光刻机了。
即便按照ASML公司的发展历程,从理论上来看,那也需要到2033年才可以研制出极紫外EUV光刻机。
当然了,以上只是按照ASML公司的发展历程简单的推算,真实情况是肯定有差别的。
至于究竟到哪年,才可以研制出自己的极紫外EUV光刻机,现在还很难说啊!
只不过可以肯定的是,研制出极紫外EUV光刻机的时间要么早于2033年,要么晚于2033年。究竟到哪年,还是让我们拭目以待吧!
或许随着量子芯片,碳基芯片,光子芯片的发展,我国可以弯道超车,避开传统光刻机的发展模式,直接走到新兴芯片的生产制造上。
言归正传,在光刻机制造上,我国面临的问题与ASML是截然相反的。
要知道ASML是集合了美国,德国,日本,英国,欧洲等各发达国家的顶尖科技,才制造出的光刻机。
而我国只有靠自己,光刻机的任何一个部件,都要立足于国内来完成研发。而且,国外还对我国进行严密的封锁,也签署了专门禁止对我国出口高科技技术的《瓦森纳协定》。
如此一来,最直接的结果就是:我国的高科技VS全球的高科技。况且,这还是在我国与光刻机有关的高科技,不如国外发达国家的前提下进行的。由此可见,极紫外EUV光刻机的研发,难度是地狱级别的。
可想而知,我国独立研制出极紫外EUV光刻机的难度系数有多高。
难度系数高归高,与做不做的到是两回事。俗话说,世上无难事,只怕有心人。我国向来拥有迎难而上的决心和毅力,相信研制出极紫外EUV光刻机只是时间问题而已。
毕竟在20年前,谁曾想到20年后的今天,我国的科技会发达到这个程度。先后出现了:蛟龙号深潜器,奋斗者号载人深潜器,复兴号高速列车,天宫空间站,北斗导航系统,量子通讯卫星,量子芯片,特高压输电,歼20隐身战斗机,运20大型运输机,直20直升机,055型万吨驱逐舰,山东号航空母舰。
这一切,在20年前是根本就不敢想的,甚至在10多年前也是不敢想的。但是,这一切,就真真切切的成为了现实。所以说,没有可以难倒我国的技术,因为我国有着迎难而上的传统和决心。相信,在极紫外EUV光刻机上,也会尽快研制出来的。
那么,我国现有的技术,与国际上的差距有多大呢。
ASML极紫外EUV光刻机使用的先进部件采用了波长为13.5纳米,功率为250W的激光等离子体光源。
有关于极紫外光源,一共发展了三代。第一代:放电等离子体(DPP);第二代:激光辅助放电等离子体(LDP);第三代:激光等离子体(LPP)。
可见ASML的极紫外EUV光刻机使用的就是由Cymer公司研发的第三代光源,该光源有两大特点:
第一,功率高,250W。只有光源的功率足够高,在被十多个反射镜反射吸收之后,剩下的功率足够高才能够进行光刻。另外光刻机光源的功率越高,芯片刻录速度也就越快。
第二,波长短,13.5纳米。众所周知,光刻机的光源波长与最小制程工艺息息相关。由于芯片的制程工艺和光刻机的曝光分辨率有着密切的关系,曝光分辨率越高,制程工艺也就越小,反之月越大。而光刻机的曝光分辨率又和光源的波长息息相关,当然光源的波长越短,曝光分辨率也就越高。光源波长越短,芯片制程工艺的纳米数就可以做到越小。
总而言之,极紫外EUV光刻机需要的光源,是波长短,功率大。
多片极其光滑的反射镜EUV光刻机与DUV光刻机的镜头组是不同的。DUV光刻机用的是透镜组,而EUV光刻机用的是反射镜。
为了使光源被反射后,还具备较高的聚合性和较大的功率,对反射镜的粗糙度有较高的要求。ASML的极紫外EUV光刻机,使用的是德国蔡司公司研制的反射镜。这些反射镜的表面镀了近百层由钼和硅制成薄膜,而薄膜的粗糙度控制在0.05纳米,难度还是相当大的。
超高精度的双工件台过去的光刻机使用的是单工件台,一个工件台完成测量,刻录等所有工作。那么,效率自然就很慢。使用单工件台的光刻机,一个小时可以处理80片晶圆。
而双工件台,是将光刻前得准备工作,和光刻分隔开来。即,一个工件台上的晶圆在做曝光时,另一个工件台对晶圆做测量等曝光前的准备工作。当第一个工件台的曝光工作完成之后,两个工件台交换位置和职能 这样一来,就可以提高光刻机的生产速度,使用双工件台的光刻机,每小时可以处理200片晶圆。相单工件台而言,那生产效率提高了3倍。
ASML的极紫外EUV光刻机所用的Twinscan双工件台,的运动精度误差控制在1.8纳米。
综合来看,光源,双工件台,反射镜是光刻机的三大部件,只要解决了这三大部件,剩下的控制台,掩膜台相对来说就比较容易了。
我国光刻机部件的进度我国目前最先进的光刻机,就是最小制程工艺为90纳米的步进投影式DUV光刻机。距离ASML的极紫外EUV光刻机还有很远的距离。
光源国内研发光源的主要有科益虹源,哈工大,华中科技,上海光机所等。
目前来看,我国已经制造出来第三代光源→波长为248纳米,重复频率为4000hz,功率为40W的氟化氪(KrF)激光器。当然了,这是在2020年完成的,至于今天达到了那个程度,还难以确定。
不过,国外类似的光源是在上世纪80年代研发出来,可想而知,这之间的差距有多大。不过Krf光源只适合制程工艺在100纳米以上的光刻机使用,而我国的光刻机最小的制程工艺为90纳米。想必还是研制出了波长为193纳米的第四代Arf光源。
当然了,国内有研发DUV光刻机的光源公司,也有研发EUV光刻机光源的企业。像哈工大研发的第一代放电等离子光源。
综合来看,在光源上与国际领先水平仍然有较大得差距。
反射镜我国研究光刻机镜头的有国望光学,长春光机所。国望光学已经研制出了,适合步进投影式DUV光刻机使用的透镜,否则国内90纳米制程工艺的光刻机的物镜系统从哪里来的呢。
只不过,在极紫外EUV光刻机使用的反射镜上,国内并没有研制出实物,也没有相关的报道出现。只不过,据最新的资料显示,光点技术研究所,与中国科学院高能物理研究所合作,研发的200 毫米口径内平面镜的,加工粗糙度优于 0.3 纳米。
而在2021年,中科科仪所研发出了真空镀膜设备,该设备可以将膜厚的精度控制在0.1纳米以内,应该可以用于反射镜的镀膜。
综合来看,国内反射镜技术,与德国的蔡司公司,日本的JECT公司的反射镜差距依然挺大的。
双工件台我国研发双工件台的主要就是华卓精科,其已经交付客户的DWS系列双工件台,可以被用于Arf干式光刻机。该双工件台采用了磁悬浮平面电机驱动,多轴激光干涉位移测量技术。使得运动平均偏差为4.5纳米,运动标准偏差为7纳米,最大速度为1.1米/秒,最大加速速度为2.4g。
正在研发DWSI系列,同样采用了磁悬浮平面电机驱动,不过换成了平面光栅干涉位移测量技术。使得运动平均偏差为2.5纳米,运动标准偏差为5纳米,最大速度为1.5米/秒,最大加速速度为3.2g。
即便是在研发中的双工件台,距离ASML极紫外EUV光刻机使用的双工件台也有差距。
目前来看,我国EUV光刻机的所需要的部件,都尚未达到满足使用的程度。所以说,国产极紫外EUV光刻机还是需要时间来等待的。就是等待各种部件达到商业化的程度,也只有各种部件都齐全了,国产极紫外EUV光刻机才可以顺利的下线 。
上文也说了,至于何时才能看到国产极紫外EUV光刻机,还很难说啊!
2. 华为手机销量跌入other华为出卖手机业务的可能性有多少?
2021年一季度手机的全球出货量出来后,很多关心华为的朋友发现,华为手机销量跌入“Others”了,与之前的前三名回首告别了。
而小米则成为第三,也是小米第一次取得这么好的成绩,随后跟进的是OPPO、vivo等国内品牌。
去年,华为已将荣耀手机业务全部出售,不在持有荣耀的任何股份。而将华为手机业务保留下来,这是一个很理智、绝妙的做法,至少从目前看来就是这样的。
2021年6月2日,华为正式发布HarmonyOS 2 操作系统,并发布了搭载HarmonyOS 2 操作系统的华为Mate 40 Pro 4G版、华为Mate 40E、华为nova8 Pro 4G版等4G手机。
而鸿蒙系统的目标是2亿台的华为设备搭载,到明年的一季度完成“百”机焕新计划,将近百款华为、荣耀手机升级到HarmonyOS 2。
可以说,为了鸿蒙系统的未来,华为是不会放弃手机业务的,而且华为手机也只有在华为公司才能展现出华为手机的魅力所在。
因此,华为是绝不会将手机的业务出售,这也是很多的业内人士分析认为的。
华为手机如今的困境是高端芯片的制造以及相关产品的授权。但是华为一直在解决,并做出了很大的成绩。这次的鸿蒙系统发布就是应对安卓的。但又在安卓的平台上更进一步,以“万物互联”为发展方向。
有消息说,华为的旗下的哈勃投资公司开始投资光刻机领域,是入股了由中科院微电子所控股的科益虹源公司。
看来,这是华为自己要解决芯片制造的难题,而其投资的科益虹源核心业务就是光刻机的光源系统。
虽然华为不会将手机业务出售,但是新机的发布节奏和款式会有所减慢、变少,这是没办法的事情,只能接受了。
小结:
1、华为是不会出卖手机业务的,并将继续推出新机,华为P50在6月2日的发布上也亮相,相信不久后将发布。
2、华为手机在华为的手中才能发挥出应有的魅力,也是联系大众用户的桥梁之一。
3. 我国能生产光刻机吗?
有人说研发光刻机比研发导弹和原子弹还难,但我要说,只要是外国人研发出来的东西,就没有中国人研发不出来的。中国人韧性非常强,别人越打压,我们就变的越强大。当年,我国要建高铁,想从日本和欧洲进口高铁技术,可人家不卖,还嘲笑我们几十年内建不了高铁。这激起了中国科研人员的努力,在短短几年之后,中国高铁就在祖国大地上运行,且技术还远超日本和欧洲,令他们大跌眼镜。所以我相信,以中国人的高超智慧,用不了多久,中国自主研发的高尖端光刻机就会与世人见面。到那时,中国不但能制造高端光刻机,还能制造比光刻机更先进的高科技设备。
目前,光刻机都被国外垄断,震惊世界的华为之战就是光刻机之战。华为芯片大部分从国外进口,美国为了打压华为,利用国家力量要求美国企业断供华为芯片。华为芯片又是高科技产品,很多都是用光刻机制造出来的。美国人认为,光刻机是华为短板,还在研发之中,他们垄断了光刻机市场,也就掐断了华为的脖子。幸好华为早就有准备,华为旗下海思公司生产的麒麟系列芯片,足以和高通骁龙芯片媲美,满足了华为后续产品的需求。华为公司依旧在研发更高端的芯片,相信他们能克服种种困难,让华为高科技走向世界。
当然,光刻机也不是美国一家独大,荷兰ASML公司生产的光刻机排世界前列,他们生产的7nm光刻机一台售价1亿欧元,约合人民币8亿,而且有钱还要提前数年预约。这还不算最好的,如果是5nm光刻机价格就更高了。由于荷兰光刻机技术来源美国,因此他们也不敢转让核心技术给我国。正因为这样,光刻机成了一些国家发财专利。
如今,我国高科技遭到打压,这更激起了我国科研人员奋发图强。我国是发展中国家,对很多高科技产品还在摸索研发之中。特别是对这种高端科技光刻机的研发,我国以在计划之中。我国高科技企业特别多,只要大家群策群力,用不了多少年,我国就能拥有属于自己的高端光刻机。
所以说,中国可以自己制造出光刻机,它对中国人来说,挑战不会很大,属于正常的高科技研发,而且我们的技术一定会超越西方,这也是中国人的实力。等到那时,中国制造的高端光刻机就可以销售世界,给很多发展中国家带来福音。以上只是一家之言,欢迎留言,谢谢。
4. 我国在光刻机研制方面是否有专业的研发机构或团队?
当然有,2000年左右,国家就认识到自主掌握光刻机核心技术的重要性,其中“02专项计划”是由多个部门负责不同的子项,并在通过与企业合作实现技术转化,其中光刻系统如下图所示。
其中,负责整机制造的是有中电科45所光刻机团队加盟成立的上海微电子,核心零部件研发则包括中科院微电子所与科益虹源的光源系统、清华大学与华卓精科的双工作台系统、中科院长春光机所与国科精密的曝光系统以及与国望光学的物镜系统、浙江大学与启尔机电的浸没系统等。
自从台积电被禁止为华为提供芯片后,华为7nm、5nm工艺的高端芯片无法生产。而在国内,同为晶圆制造企业的中芯国际目前的量产工艺为14nm。其实2018年,中芯国际曾给阿斯麦发出EUV光刻机订单,但由于美国的阻拦,这台光刻机没有交付到中芯国际,而这是实现7nm工艺的关键设备。
事实上我国光刻机产业起步并不晚,在全球光刻机产业开始发展的60年代初期,我国就已开始进行相关技术的研发。但从80年代开始,随着改革开放的大门打开,我国开始引进国外的半导体生产产线。国外先进技术的引进当然能够带动国内产业的发展,但这也使得“造不如买”成为产业发展的主流模式。
我国经过几年的攻关,不少子项目已经取得较大进展,清华大学团队和华卓精科成功研发出光刻机双工作台系统样机,成为继ASML之后第二个掌握光刻机双工作台系统的企业。长春光机所联合国望光学和国科精密分别在2016和2017年完成物镜系统和曝光系统的验收。2017年,中科院微电子所与科益虹源研发的40瓦ArF光源技术通过验收;2018年科益虹源自主设计开发的国内首台高能准分子激光器出货,打破了国外厂商的长期垄断。2019年,启尔电机的浸没系统也通过02专项工程指挥部CDR评审。
上海微电子表示,其28nm制程的浸没式光刻机将在近年交付。28nm是尤为重要的工艺节点,尽管与7nm的EUV光刻机还有些差距,但其同样能够通过多次曝光制造7nm制程的芯片。
同时,相比于高端智能手机所追求的7nm、5nm芯片工艺,28nm工艺在微控制器、射频芯片、图像传感器领域是更主流的工艺,也是目前单位晶体管成本最低的工艺节点。
所以从相当程度上看,实现28nm的量产要比过分依赖国外技术的14nm、7nm更有意义。
综合来看,我国在光刻机核心部件领域已经实现了明显的进步,多项技术都接近了国外水平。但光刻机仍然是个复杂的集成产业,需要每一个零件和材料完美组合才能打造出来,我们仍然需要强化产业链的合作,让更多企业加入进来。
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